Установка параметров для FPM DRAM, EDO DRAM и Synchronous DRAM
AUTO Configuration (автоматическая конфигурация) — имеет 3 значения
60 ns — устанавливает парамеры доступа для DRAM с быстродействием 60 ns
70 ns — то же для памяти с быстродействием 70 ns
Disabled (запрещена) — позволяет установить любые возможные параметры доступа к DRAM памяти
DRAM RAS# Precharge Time (время предварительного заряда по RAS) — Эта функция позволяет определить количество тактов системной шины для формирования сигнала RAS. Уменьшение этого значение увеличивает быстродействие, но чрезмерное для конкретной памяти уменьшение может привести к потере данных. Принимает значения:
3
4
DRAM R/W Leadoff Timing (число тактов при подготовке выполнения операции чтения/записи) — определяет число тактов на шине до выполнения любых операций с DRAM. Параметр может принимать значения:
8/7 — восемь тактов для чтения и семь тактов для записи
7/5 — семь тактов для чтения и пять тактов для записи
DRAM RAS to CAS Delay (задержка между RAS и CAS) — Во время доступа к памяти обращения к столбцам и строкам выполняются отдельно друг от друга. Этот параметр и определяет отстояние одного сигнала от другого. Параметр может принимать значения:
3 — три такта задержки
2 — два такта задержки
Уменьшение значения увеличивает быстродействие.
DRAM Read Burst Timing (время пакетного чтения памяти) — Запрос на чтение и запись генерируется процессором в четыре раздельные фазы. В первой фазе инициируется обращение к конкретной области памяти, а в оставшихся происходит собственно чтение данных. Параметр может принимать значения:
x2222 — два такта задержки
x3333 — три такта задержки
x4444 — четыре такта задержки
Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие.
Speculative Leadoff (опережающая выдача сигнала чтения) — разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован.