Память SDR SDRAM

Конструктивно этот вид памяти представляет собой модуль DIMM (Dual In-line Memory Module) со 168 контактами, на котором располагаются до 32 чипсетов.

«SDR SDRAM» («Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» — «Синхронная динамическая память со случайным доступом и одинарной скоростью передачи данных») имеет спецификации:

PC66, PC100, PC133,

предназначенные, соответственно, для работы на частотах:

66, 100, 133 MHz.

Память спецификации PC66

не имеет перспектив при разгоне, разве что Вы разгоняете какой-нибудь раритетный аппарат.

На модуле памяти «SDR SDRAM» спецификации PC100 должна быть специальная наклейка с маркировкой вида:

« PCxxx-abc-def », где
xxx ? частота внешней шины (100 MHz, в данном случае).
а ? обозначает CL (CAS Latency), рекомендованное для этого модуля. CAS Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть «2» или «3» . Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже.
b ? tRCD (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число «3» .
Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. 100 MГц, напрмер.
с ? tRP ? (RAS Precharge Time) ? минимальное время регенерации в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число «3» .
d ? tAC ? (Acсess from Clock) ? максимальное время доступа (появления устойчивых данных) в наносекундах (нс) без десятичной части. Например, tAC = 6,63 нс ? dd = 6.
e ? SPD Rev спецификация команд SPD (иногда может отсутствовать).
f ? запасной параметр, содержащий информацию об используемой ревизии стандарта Registered. После него может стоять индекс "R", указывающий на Registered природу модуля (максимальная отказоустойчивость), если индекса нет и f ? 0, значит модуль ? Unbuffered.

Наиболее типичная маркировка « PC100-322-620 » означает, что при 100MHz тактовой частоты CL = 3, tRCD = 2, tRP = 2, tAC = 6ns

Параметр CL = 3 указывает на то, что на частотах более 100 MHz модуль работать не будет.

На модуле памяти «SDR SDRAM» спецификации PC133 должна быть специальная наклейка с маркировкой вида: « PCxxxm-abc-dde-f », где
xxx ? частота внешней шины (133 MHz, в данном случае).
m ? тип модуля DIMM (R — Registered, U — Unbuffered).
а ? обозначает CL (CAS Latency), рекомендованное для этого модуля. CAS Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть «2» или «3» . Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже.
b ? tRCD (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число «3» . Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. 133 MГц, напрмер.
с ? tRP ? (RAS Precharge Time) ? минимальное время регенерации в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число «3» .
dd ? tAC ? (Acсess from Clock) ? максимальное время доступа (появления устойчивых данных) в наносекундах (нс) без десятичной точки. tAC = 5.4 нс ? dd = 54.
e ? SPD Rev спецификация команд SPD (2 ? JEDEC SPD Revision 2.0.).
f ? топология РСВ. (А: Intel PC100 x8 Based, revision 1.0., B: Intel PC100 x8 Based Low Cost, revision 1.0., C: Intel PC100 x16 Based, revision 1.0., Z: PCB, не соответствующее дизайну Intel.)

Наиболее типичная маркировка « PC133U-333-542-B » означает, что при 133 MHz тактовой частоты CL = 3, tRCD = 3, tRP = 3, tAC = 5,4 нс.

Параметр CL = 3 указывает на то, что на частотах более 133 MHz модуль работать не будет.

Содержание раздела