Увеличение производительности
(Аналогично для соответствующих параметров DRAM-памяти.)
«SDRAM Configuration» или «Auto Configuration» (конфигурация SDRAM-памяти) — параметрами опций определяется, должна ли BIOS устанавливать временные характеристики доступа к памяти на основании информации из SPD-модуля («By SPD» ) или же пользователь проведет конфигурирование доступа самостоятельно («User Defined» ).
В качестве фиксированных значений могут быть предложены параметры:
«7 ns (143 Mhz)» и «8 ns (125 Mhz)» как для памяти с временем доступа «7 нс/8 нс» и соответственно частотой шины «143 МГц/125 МГц». Если Вы хотите произвести какие-либо изменения в настройках, то следует поставить «User Defined» для «SDRAM Configuration» или выключить опцию «Auto Configuration» (значение «Disabled» ).
«SDRAM CAS# Latency» (задержка CAS для SDRAM) — максимальное быстродействие памяти достигается при минимальных значениях величин «CAS Latency», соответственно поставьте её значение поменьше, если это не нарушит стабильность работы компьютера.
- Значение «3T» соответствует времени доступа «8ns»,
- Значение «2.5T» соответствует времени доступа «7ns»,
- Значение «2T» соответствует времени доступа «6ns» .
«SDRAM CAS to RAS Delay» (задержка CAS для SDRAM) — параметр определяет значение задержки после выдачи сигнала RAS до появления сигнала CAS для синхронной памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее доступ к памяти и производительность системы.
Может принимать значения:
- «3»
— три такта задержки, - «2»
— два такта задержки.
«SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS)» (Cинхронная память — задержка CAS/От RAS к CAS) — этот параметр позволяет комбинировать между длительностью сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS. Значение этого параметра зависит от характеристик SDRAM, примененной в материнской плате и от быстродействия процессора. Поэтому изменять этот параметр стоит крайне осторожно.
Может принимать значения:
«SDRAM RAS Precharge Time» или «SDRAM RAS Precharge Delay» (синхронная память — время предварительного заряда или задержка предварительного заряда) — параметр позволяет определять быстрое или медленное накопление заряда по RAS до начала цикла регенерации памяти.
Содержание Назад Вперед
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий